US6J11TR
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| Numero parte | US6J11TR |
| PNEDA Part # | US6J11TR |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.244 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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US6J11TR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | US6J11TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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US6J11TR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
| Potenza - Max | 320mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
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