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NSR01L30MXT5G

NSR01L30MXT5G

Solo per riferimento

Numero parte NSR01L30MXT5G
PNEDA Part # NSR01L30MXT5G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 88.644
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSR01L30MXT5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSR01L30MXT5G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
NSR01L30MXT5G, NSR01L30MXT5G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 46,84 KB)
PDFNSR01L30MXT5G Datasheet Copertura
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NSR01L30MXT5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)100mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If460mV @ 10mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 30V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia0201 (0603 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore2-X3DFN (0.62x0.32)
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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S1MLHRQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

RB060L-40DDTE25

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

PMDS

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

JANTXV1N5806URS

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/477

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, A

Pacchetto dispositivo fornitore

A-MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

BAV102,135

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 150V

Capacità @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Pacchetto dispositivo fornitore

LLDS; MiniMelf

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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