JANTXV1N5806URS
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| Numero parte | JANTXV1N5806URS |
| PNEDA Part # | JANTXV1N5806URS |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 1A APKG |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.564 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N5806URS Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N5806URS |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N5806URS Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | A-MELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore STMicroelectronics Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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