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NE85639-T1-A

NE85639-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte NE85639-T1-A
PNEDA Part # NE85639-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.660
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85639-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85639-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85639-T1-A, NE85639-T1-A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 970,77 KB)
PDFNE85639-T1-R28-A Datasheet Copertura
NE85639-T1-R28-A Datasheet Pagina 2 NE85639-T1-R28-A Datasheet Pagina 3 NE85639-T1-R28-A Datasheet Pagina 4 NE85639-T1-R28-A Datasheet Pagina 5 NE85639-T1-R28-A Datasheet Pagina 6

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NE85639-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Guadagno13dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

90mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

MDS1100

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.9dB

Potenza - Max

8750W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

55TU-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55TU-1

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

MS2502A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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