MDS1100
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| Numero parte | MDS1100 |
| PNEDA Part # | MDS1100 |
| Descrizione | RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.622 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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MDS1100 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MDS1100 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MDS1100 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 65V |
| Frequenza - Transizione | 1.03GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | 8.9dB |
| Potenza - Max | 8750W |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100A |
| Temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 55TU-1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 55TU-1 |
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Produttore CEL Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 6.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Guadagno 12dB Potenza - Max 1.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-243AA Pacchetto dispositivo fornitore SOT-89 |
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