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NE68133-T1B-R34-A

NE68133-T1B-R34-A

Solo per riferimento

Numero parte NE68133-T1B-R34-A
PNEDA Part # NE68133-T1B-R34-A
Descrizione RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
Produttore CEL
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Disponibile 7.164
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68133-T1B-R34-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68133-T1B-R34-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68133-T1B-R34-A, NE68133-T1B-R34-A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 1.917,57 KB)
PDF2SC3583-A Datasheet Copertura
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NE68133-T1B-R34-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Guadagno13dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

2.7GHz ~ 3.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.7dB

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

MS2341

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

87.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

MDS1100

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.9dB

Potenza - Max

8750W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

55TU-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55TU-1

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Guadagno

7.2dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

75V

Frequenza - Transizione

3.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

200W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 2A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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