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NE68119-T1-A

NE68119-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte NE68119-T1-A
PNEDA Part # NE68119-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
Produttore CEL
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Disponibile 4.824
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68119-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68119-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68119-T1-A, NE68119-T1-A Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.991,78 KB)
PDF2SC5007-A Datasheet Copertura
2SC5007-A Datasheet Pagina 2 2SC5007-A Datasheet Pagina 3 2SC5007-A Datasheet Pagina 4 2SC5007-A Datasheet Pagina 5 2SC5007-A Datasheet Pagina 6 2SC5007-A Datasheet Pagina 7 2SC5007-A Datasheet Pagina 8 2SC5007-A Datasheet Pagina 9

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NE68119-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.4dB @ 1GHz
Guadagno10dB
Potenza - Max100mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-523

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

6 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

12.4dB ~ 17.5dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

BFR193L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12.5dB ~ 19dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSLP-3-1

MRF581AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Macro-X

Pacchetto dispositivo fornitore

Macro-X

BF799E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MDS1100

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.9dB

Potenza - Max

8750W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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