MV2N4857UB
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| Numero parte | MV2N4857UB |
| PNEDA Part # | MV2N4857UB |
| Descrizione | N CHANNEL JFET |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.256 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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MV2N4857UB Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MV2N4857UB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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MV2N4857UB Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1.7pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 125mW Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP |
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