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MT48H16M32L2F5-8 IT TR

MT48H16M32L2F5-8 IT TR

Solo per riferimento

Numero parte MT48H16M32L2F5-8 IT TR
PNEDA Part # MT48H16M32L2F5-8-IT-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 2.502
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MT48H16M32L2F5-8 IT TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48H16M32L2F5-8 IT TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT48H16M32L2F5-8 IT TR, MT48H16M32L2F5-8 IT TR Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 266,31 KB)
PDFMT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Copertura
MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 2 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 3 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 4 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 5 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 6 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 7 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 8 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 9 MT48H16M32L2F5-8 TR Datasheet Pagina 10

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MT48H16M32L2F5-8 IT TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-VFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (64M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-T-PBGA (6x8)

NM93C14M8

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

S99GL128P10TFI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C128A-35VXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SOJ

MTFC64GAJAEDQ-AAT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LBGA (14x18)

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