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MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

Solo per riferimento

Numero parte MT28FW02GBBA1HPC-0AAT
PNEDA Part # MT28FW02GBBA1HPC-0AAT
Descrizione IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $246,5632
50 ---------- $235,0055
100 ---------- $223,4479
200 ---------- $211,8903
400 ---------- $202,2589
500 ---------- $192,6275
Disponibile 20.321
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28FW02GBBA1HPC-0AAT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28FW02GBBA1HPC-0AAT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT, MT28FW02GBBA1HPC-0AAT Datasheet (Totale pagine: 75, Dimensioni: 974,41 KB)
PDFMT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Copertura
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 2 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 3 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 4 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 5 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 6 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 7 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 8 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 9 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 10 MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Datasheet Pagina 11

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MT28FW02GBBA1HPC-0AAT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina60ns
Tempo di accesso105ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-LBGA (11x13)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

WS-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (11.6x8)

CY7C1041G18-15VXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

7014S25J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

36Kb (4K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

R1LV0108ESF-5SR#S0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP (8x20)

MT40A512M8RH-075E AAT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR4

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.33GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x10.5)

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