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MBRD835LT4

MBRD835LT4

Solo per riferimento

Numero parte MBRD835LT4
PNEDA Part # MBRD835LT4
Descrizione DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRD835LT4 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRD835LT4
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBRD835LT4, MBRD835LT4 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 125,55 KB)
PDFMBRD835LT4 Datasheet Copertura
MBRD835LT4 Datasheet Pagina 2 MBRD835LT4 Datasheet Pagina 3 MBRD835LT4 Datasheet Pagina 4 MBRD835LT4 Datasheet Pagina 5

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MBRD835LT4 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)35V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If510mV @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1.4mA @ 35V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.5µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

PMDTM

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SSL23HM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

410mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

JANTXV1N5418US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/411

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

RM 10AV

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

910mV @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Axial

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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