JANTXV1N5418US
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| Numero parte | JANTXV1N5418US |
| PNEDA Part # | JANTXV1N5418US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.880 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N5418US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N5418US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N5418US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 350A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 800A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AB, DO-9, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AB, DO-9 Temperatura di esercizio - Giunzione -45°C ~ 150°C |
