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IXGT32N90B2

IXGT32N90B2

Solo per riferimento

Numero parte IXGT32N90B2
PNEDA Part # IXGT32N90B2
Descrizione IGBT 900V 64A 300W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.528
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT32N90B2 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT32N90B2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT32N90B2, IXGT32N90B2 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 202,06 KB)
PDFIXGT32N90B2 Datasheet Copertura
IXGT32N90B2 Datasheet Pagina 2 IXGT32N90B2 Datasheet Pagina 3 IXGT32N90B2 Datasheet Pagina 4 IXGT32N90B2 Datasheet Pagina 5 IXGT32N90B2 Datasheet Pagina 6 IXGT32N90B2 Datasheet Pagina 7

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IXGT32N90B2 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)64A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 32A
Potenza - Max300W
Switching Energy2.6mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge89nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/260ns
Condizione di test720V, 32A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

170W

Switching Energy

800µJ (on), 450µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

115nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/70ns

Condizione di test

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

IKU06N60RBKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

330µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

48nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/127ns

Condizione di test

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

IKW75N60TAFKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

428W

Switching Energy

4.5mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

470nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/330ns

Condizione di test

400V, 75A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

121ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG4PC50SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.36V @ 15V, 41A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

720µJ (on), 8.27mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

180nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/650ns

Condizione di test

480V, 41A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

RJP60F0DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 25A

Potenza - Max

122W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/70ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-83

Pacchetto dispositivo fornitore

4-LDPAK

Venduto di recente

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

TDA04H0SB1R

TDA04H0SB1R

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

MCP16331T-E/CH

MCP16331T-E/CH

Microchip Technology

IC REG BUCK ADJ 500MA SOT23-6

XC7A200T-2FBG484I

XC7A200T-2FBG484I

Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FCBGA

SSM3K15AFS,LF

SSM3K15AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM

NRVBS3100T3G

NRVBS3100T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

MAX15021ATI+T

MAX15021ATI+T

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJ 2A/4A DL 28TQFN

0437007.WR

0437007.WR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 32VAC 35VDC 1206

HUF75344P3

HUF75344P3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

CAT93C57XI

CAT93C57XI

ON Semiconductor

IC EEPROM 2K SPI 1MHZ 8SOIC