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IXGR60N60C3D1

IXGR60N60C3D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGR60N60C3D1
PNEDA Part # IXGR60N60C3D1
Descrizione IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.826
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGR60N60C3D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGR60N60C3D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGR60N60C3D1, IXGR60N60C3D1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 216,15 KB)
PDFIXGR60N60C3D1 Datasheet Copertura
IXGR60N60C3D1 Datasheet Pagina 2 IXGR60N60C3D1 Datasheet Pagina 3 IXGR60N60C3D1 Datasheet Pagina 4 IXGR60N60C3D1 Datasheet Pagina 5 IXGR60N60C3D1 Datasheet Pagina 6 IXGR60N60C3D1 Datasheet Pagina 7

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IXGR60N60C3D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Potenza - Max170W
Switching Energy800µJ (on), 450µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge115nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C21ns/70ns
Condizione di test480V, 40A, 3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS247™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS247™

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Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Potenza - Max

540W

Switching Energy

1.4mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/152ns

Condizione di test

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

FGL60N100DTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Potenza - Max

176W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

230nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264-3

FGHL50T65SQ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

410µJ (on), 88µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

99nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/93ns

Condizione di test

400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

GT60N321(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

Potenza - Max

170W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

330ns/700ns

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

2.5µs

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PL

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(LH)

FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.52V @ 15V, 3A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

52µJ (on), 30µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

1.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

5.5ns/22ns

Condizione di test

400V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

21ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Venduto di recente

NC7WZ16P6X

NC7WZ16P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

4608X-102-471LF

4608X-102-471LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP

BAT54CXV3T1G

BAT54CXV3T1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC89-3

LTC6363IMS8#PBF

LTC6363IMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8MSOP

DECB33J681KC4B

DECB33J681KC4B

Murata

CAP CER 680PF 6.3KV RADIAL

ADM211ARSZ-REEL

ADM211ARSZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

OP07CPZ

OP07CPZ

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

74AC244SC

74AC244SC

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC

HCPL-5631

HCPL-5631

Broadcom

OPTOISO 1.5KV 2CH OPEN COLL 8DIP

GRM31A5C2J100JW01D

GRM31A5C2J100JW01D

Murata

CAP CER 10PF 630V C0G/NP0 1206

AON6266

AON6266

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN