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IXGC12N60CD1

IXGC12N60CD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGC12N60CD1
PNEDA Part # IXGC12N60CD1
Descrizione IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGC12N60CD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGC12N60CD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGC12N60CD1, IXGC12N60CD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 543,21 KB)
PDFIXGC12N60CD1 Datasheet Copertura
IXGC12N60CD1 Datasheet Pagina 2

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IXGC12N60CD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max85W
Switching Energy90µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge32nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/60ns
Condizione di test480V, 12A, 18Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS220™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS220™

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

536W

Switching Energy

610µJ (on), 1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

310nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/157ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

NGTD23T120F2SWK

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

NGTB25N120SWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

385W

Switching Energy

1.95mJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

178nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

87ns/179ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

154ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRGSL4640DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

115µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

75nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/104ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

89ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Renesas Electronics America

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Gate Charge

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