NGTB25N120SWG
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| Numero parte | NGTB25N120SWG |
| PNEDA Part # | NGTB25N120SWG |
| Descrizione | IGBT 25A 1200V TO-247 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.352 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTB25N120SWG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTB25N120SWG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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NGTB25N120SWG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 385W |
| Switching Energy | 1.95mJ (on), 600µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 178nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 87ns/179ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 154ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 25A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 8A Potenza - Max 156W Switching Energy 300µJ (on), 285µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 65nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 7ns/100ns Condizione di test 800V, 8A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 400V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 3V, 100A Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 70A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 70A Potenza - Max 160W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 86nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 39ns/120ns Condizione di test 196V, 25A, 10Ohm Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
