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IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
PNEDA Part # IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
Descrizione IC PSRAM 64M PARALLEL 24TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.444
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR, IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 5.291,24 KB)
PDFIS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Copertura
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 2 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 3 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 4 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 5 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 6 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 7 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 8 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 9 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 10 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Distributor

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina40ns
Tempo di accesso40ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-TFBGA (6x8)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (6x10)

IS42SM32100D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

32Mb (1M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

MT48H32M16LFBF-6:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (6x9)

70914S25PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

36Kb (4K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

80-TQFP (14x14)

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

4Gb (64M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

216-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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