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MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR

Solo per riferimento

Numero parte MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR
PNEDA Part # MT42L64M64D2LL-18-WT-C-TR
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 4.644
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Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT42L64M64D2LL-18 WT:C TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR, MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet (Totale pagine: 148, Dimensioni: 7.275,08 KB)
PDFMT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Copertura
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 2 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 3 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 4 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 5 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 6 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 7 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 8 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 9 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 10 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datasheet Pagina 11

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MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria4Gb (64M x 64)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore216-FBGA (12x12)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

BR25G640F-3GE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

IS39LV040-70JCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.43x13.97)

M58LT256JST8ZA6F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

80-LBGA (10x12)

70V9359S7PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

144Kb (8K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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