IRF5810TRPBF
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| Numero parte | IRF5810TRPBF |
| PNEDA Part # | IRF5810TRPBF |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.166 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF5810TRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF5810TRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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IRF5810TRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Potenza - Max | 960mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
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