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AON5810

AON5810

Solo per riferimento

Numero parte AON5810
PNEDA Part # AON5810
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.706
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON5810 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON5810
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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AON5810 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1360pF @ 10V
Potenza - Max1.6W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-DFN-EP (2x5)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A, 31A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 12V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TISON-8

FW344A-TL-2W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.2mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W, 2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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