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HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Solo per riferimento

Numero parte HGT1S3N60A4DS9A
PNEDA Part # HGT1S3N60A4DS9A
Descrizione IGBT 600V 17A 70W D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HGT1S3N60A4DS9A Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGT1S3N60A4DS9A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
HGT1S3N60A4DS9A, HGT1S3N60A4DS9A Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 113,52 KB)
PDFHGT1S3N60A4DS9A Datasheet Copertura
HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 2 HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 3 HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 4 HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 5 HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 6 HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 7 HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 8 HGT1S3N60A4DS9A Datasheet Pagina 9

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HGT1S3N60A4DS9A Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)17A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A
Potenza - Max70W
Switching Energy37µJ (on), 25µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge21nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C6ns/73ns
Condizione di test390V, 3A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)29ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

110µJ (on), 230µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

98nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/100ns

Condizione di test

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

APT30GP60B2DLG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

463W

Switching Energy

260µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

90nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/55ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™

FGY100T65SCDT

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

5.4mJ (on), 3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

157nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

84ns/216ns

Condizione di test

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

62ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Potenza - Max

600W

Switching Energy

670µJ (on), 740µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/100ns

Condizione di test

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXXH)

IRGIB10B60KD1P

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Potenza - Max

44W

Switching Energy

156µJ (on), 165µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

41nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/180ns

Condizione di test

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

79ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

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