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IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1

Solo per riferimento

Numero parte IXXH50N60B3D1
PNEDA Part # IXXH50N60B3D1
Descrizione IGBT 600V 120A 600W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario
1 ---------- $113,2920
50 ---------- $107,9815
100 ---------- $102,6709
200 ---------- $97,3603
400 ---------- $92,9349
500 ---------- $88,5094
Disponibile 135
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Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXXH50N60B3D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXXH50N60B3D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXXH50N60B3D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)120A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 36A
Potenza - Max600W
Switching Energy670µJ (on), 740µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge70nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C27ns/100ns
Condizione di test360V, 36A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXXH)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

74A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

350µJ (on), 100µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

95nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/165ns

Condizione di test

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-41

IRGP6690DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Potenza - Max

483W

Switching Energy

3.1mJ (on), 2.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

85ns/222ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

RGTH40TS65GC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Potenza - Max

144W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

40nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/73ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

RJH60T04DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Potenza - Max

208.3W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

87nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

54ns/136ns

Condizione di test

300V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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