FS45MR12W1M1B11BOMA1
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| Numero parte | FS45MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA Part # | FS45MR12W1M1B11BOMA1 |
| Descrizione | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.830 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FS45MR12W1M1B11BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-EASY1BM-2 |
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