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DMC6070LND-7

DMC6070LND-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC6070LND-7
PNEDA Part # DMC6070LND-7
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.010
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC6070LND-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC6070LND-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC6070LND-7, DMC6070LND-7 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 629,13 KB)
PDFDMC6070LND-7 Datasheet Copertura
DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 2 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 3 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 4 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 5 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 6 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 7 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 8 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 9 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 10 DMC6070LND-7 Datasheet Pagina 11

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DMC6070LND-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds731pF @ 20V
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A, 13.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V

Potenza - Max

1.9W, 2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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