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FQPF27N25

FQPF27N25

Solo per riferimento

Numero parte FQPF27N25
PNEDA Part # FQPF27N25
Descrizione MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.556
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FQPF27N25 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQPF27N25
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FQPF27N25, FQPF27N25 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 554,29 KB)
PDFFQPF27N25T Datasheet Copertura
FQPF27N25T Datasheet Pagina 2 FQPF27N25T Datasheet Pagina 3 FQPF27N25T Datasheet Pagina 4 FQPF27N25T Datasheet Pagina 5 FQPF27N25T Datasheet Pagina 6 FQPF27N25T Datasheet Pagina 7 FQPF27N25T Datasheet Pagina 8 FQPF27N25T Datasheet Pagina 9 FQPF27N25T Datasheet Pagina 10

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FQPF27N25 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieQFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2450pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)55W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5350pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-8

Pacchetto / Custodia

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

STL24N60M2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II Plus

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (8x8) HV

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

PSMN4R0-30YLDX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

95A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1272pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

64W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

NTB125N02RT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

95A (Ta), 120.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3440pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.98W (Ta), 113.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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