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STL24N60M2

STL24N60M2

Solo per riferimento

Numero parte STL24N60M2
PNEDA Part # STL24N60M2
Descrizione MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.280
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 25 - set 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL24N60M2 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL24N60M2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STL24N60M2, STL24N60M2 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 856,55 KB)
PDFSTL24N60M2 Datasheet Copertura
STL24N60M2 Datasheet Pagina 2 STL24N60M2 Datasheet Pagina 3 STL24N60M2 Datasheet Pagina 4 STL24N60M2 Datasheet Pagina 5 STL24N60M2 Datasheet Pagina 6 STL24N60M2 Datasheet Pagina 7 STL24N60M2 Datasheet Pagina 8 STL24N60M2 Datasheet Pagina 9 STL24N60M2 Datasheet Pagina 10 STL24N60M2 Datasheet Pagina 11

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STL24N60M2 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II Plus
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (8x8) HV
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPC60R070C6UNSAWNX6SA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

SI3443CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.97A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Produttore

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+10V, -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 12.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SI3483DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

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TrenchFET®

Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Funzione FET

-

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