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FP25R12KT4B16BOSA1

FP25R12KT4B16BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FP25R12KT4B16BOSA1
PNEDA Part # FP25R12KT4B16BOSA1
Descrizione MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FP25R12KT4B16BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFP25R12KT4B16BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FP25R12KT4B16BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Microsemi

Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Potenza - Max

260W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.53nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

APTGT150A170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

280A

Potenza - Max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

APTGT75DA170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Potenza - Max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

FZ600R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

3000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT200SK60TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

290A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

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