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FZ600R12KE4HOSA1

FZ600R12KE4HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FZ600R12KE4HOSA1
PNEDA Part # FZ600R12KE4HOSA1
Descrizione MOD IGBT MED PWR 62MM-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.862
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ600R12KE4HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ600R12KE4HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ600R12KE4HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600A
Potenza - Max3000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.7nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

450A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GA200TH60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

260A

Potenza - Max

1042W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK

APTGF300DA120D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

420A

Potenza - Max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Potenza - Max

275W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

GHIS060A120S-A1

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Potenza - Max

680W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

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