FGY75T120SQDN
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| Numero parte | FGY75T120SQDN |
| PNEDA Part # | FGY75T120SQDN |
| Descrizione | IGBT 1200V 75A UFS |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.878 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGY75T120SQDN Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGY75T120SQDN |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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FGY75T120SQDN Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| Potenza - Max | 790W |
| Switching Energy | 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 399nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 64ns/332ns |
| Condizione di test | 600V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 99ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 150A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Potenza - Max 625W Switching Energy 456µJ (on), 635µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 165nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 19ns/85ns Condizione di test 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-264 |
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