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FDMS3616S

FDMS3616S

Solo per riferimento

Numero parte FDMS3616S
PNEDA Part # FDMS3616S
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.740
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS3616S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS3616S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMS3616S, FDMS3616S Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 569,77 KB)
PDFFDMS3616S Datasheet Copertura
FDMS3616S Datasheet Pagina 2 FDMS3616S Datasheet Pagina 3 FDMS3616S Datasheet Pagina 4 FDMS3616S Datasheet Pagina 5 FDMS3616S Datasheet Pagina 6 FDMS3616S Datasheet Pagina 7 FDMS3616S Datasheet Pagina 8 FDMS3616S Datasheet Pagina 9 FDMS3616S Datasheet Pagina 10 FDMS3616S Datasheet Pagina 11

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FDMS3616S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 13V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePower56

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NDS8936

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NTLJD3119CTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

µCool™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

271pF @ 10V

Potenza - Max

710mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

VQ3001P-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

850mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BSO204PNTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1513pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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