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BSO204PNTMA1

BSO204PNTMA1

Solo per riferimento

Numero parte BSO204PNTMA1
PNEDA Part # BSO204PNTMA1
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.048
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSO204PNTMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSO204PNTMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BSO204PNTMA1, BSO204PNTMA1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 310,3 KB)
PDFBSO204PNTMA1 Datasheet Copertura
BSO204PNTMA1 Datasheet Pagina 2 BSO204PNTMA1 Datasheet Pagina 3 BSO204PNTMA1 Datasheet Pagina 4 BSO204PNTMA1 Datasheet Pagina 5 BSO204PNTMA1 Datasheet Pagina 6 BSO204PNTMA1 Datasheet Pagina 7 BSO204PNTMA1 Datasheet Pagina 8

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BSO204PNTMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1513pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitoreP-DSO-8

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 16V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BSC0993NDATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TISON-8

DMN63D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.87nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V

Potenza - Max

20W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34.9mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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