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FDMC9430L-F085

FDMC9430L-F085

Solo per riferimento

Numero parte FDMC9430L-F085
PNEDA Part # FDMC9430L-F085
Descrizione MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 12A 8MLP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.912
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Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMC9430L-F085 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMC9430L-F085
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMC9430L-F085, FDMC9430L-F085 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 416,09 KB)
PDFFDMC9430L-F085 Datasheet Copertura
FDMC9430L-F085 Datasheet Pagina 2 FDMC9430L-F085 Datasheet Pagina 3 FDMC9430L-F085 Datasheet Pagina 4 FDMC9430L-F085 Datasheet Pagina 5 FDMC9430L-F085 Datasheet Pagina 6

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FDMC9430L-F085 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds984pF @ 20V
Potenza - Max11.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (3x3)

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Potenza - Max

48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta), 3.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

574pF @ 20V, 587pF @ 20V

Potenza - Max

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

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