TPS1120DR
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| Numero parte | TPS1120DR |
| PNEDA Part # | TPS1120DR |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.732 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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TPS1120DR Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TPS1120DR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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TPS1120DR Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 15V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 840mW |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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