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EMC5DXV5T1G

EMC5DXV5T1G

Solo per riferimento

Numero parte EMC5DXV5T1G
PNEDA Part # EMC5DXV5T1G
Descrizione TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 33.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EMC5DXV5T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEMC5DXV5T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
EMC5DXV5T1G, EMC5DXV5T1G Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 99,83 KB)
PDFEMC3DXV5T5 Datasheet Copertura
EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 2 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 3 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 4 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 5 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 6 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 7 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 8 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 9 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 10 EMC3DXV5T5 Datasheet Pagina 11

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EMC5DXV5T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)47kOhms, 4.7kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms, 10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max500mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-553
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-553

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RN2971FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

NSVMUN5135DW1T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

NSBC123JDP6T5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

339mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-963

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-963

NSVBC114EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

PUMF11,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 40V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

100MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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