EGF1BHE3_A/I
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Numero parte | EGF1BHE3_A/I |
PNEDA Part # | EGF1BHE3_A-I |
Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.874 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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EGF1BHE3_A/I Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | EGF1BHE3_A/I |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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EGF1BHE3_A/I Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | DO-214BA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214BA (GF1) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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