BYM36D-TAP
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| Numero parte | BYM36D-TAP |
| PNEDA Part # | BYM36D-TAP |
| Descrizione | DIODE AVALANCHE 800V 2.9A SOD64 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.636 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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BYM36D-TAP Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BYM36D-TAP |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BYM36D-TAP Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Avalanche |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.9A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.78V @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | SOD-64, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-64 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media Rettificata (Io) 7.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 35V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 15A Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
