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DMP2065UFDB-7

DMP2065UFDB-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP2065UFDB-7
PNEDA Part # DMP2065UFDB-7
Descrizione MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.142
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2065UFDB-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2065UFDB-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMP2065UFDB-7, DMP2065UFDB-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 375,85 KB)
PDFDMP2065UFDB-13 Datasheet Copertura
DMP2065UFDB-13 Datasheet Pagina 2 DMP2065UFDB-13 Datasheet Pagina 3 DMP2065UFDB-13 Datasheet Pagina 4 DMP2065UFDB-13 Datasheet Pagina 5 DMP2065UFDB-13 Datasheet Pagina 6 DMP2065UFDB-13 Datasheet Pagina 7

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DMP2065UFDB-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds752pF @ 15V
Potenza - Max1.54W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

TC2320TG-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

DMNH6022SSDQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A, 22.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2127pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRF7902TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A, 9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W, 2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

VQ1001P

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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