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DMNH6022SSDQ-13

DMNH6022SSDQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMNH6022SSDQ-13
PNEDA Part # DMNH6022SSDQ-13
Descrizione MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMNH6022SSDQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMNH6022SSDQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMNH6022SSDQ-13, DMNH6022SSDQ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 315,39 KB)
PDFDMNH6022SSDQ-13 Datasheet Copertura
DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 2 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 3 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 4 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 5 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 6 DMNH6022SSDQ-13 Datasheet Pagina 7

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DMNH6022SSDQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.1A, 22.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2127pF @ 25V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

126mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UFBGA, WLCSP

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WLCSP (1.0x1.5)

DMP2900UW-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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