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DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN61D9UDW-13
PNEDA Part # DMN61D9UDW-13
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN61D9UDW-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN61D9UDW-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN61D9UDW-13, DMN61D9UDW-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 533,15 KB)
PDFDMN61D9UDW-13 Datasheet Copertura
DMN61D9UDW-13 Datasheet Pagina 2 DMN61D9UDW-13 Datasheet Pagina 3 DMN61D9UDW-13 Datasheet Pagina 4 DMN61D9UDW-13 Datasheet Pagina 5 DMN61D9UDW-13 Datasheet Pagina 6

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  • DMN61D9UDW-13 Distributor

DMN61D9UDW-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds28.5pF @ 30V
Potenza - Max320mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

272nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 1000V

Potenza - Max

470W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

IRF7104TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

GWS9294

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

3.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-VDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

4-QFN (2x2)

SMMA511DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 6V

Potenza - Max

6.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

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