APTSM120AM55CT1AG
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| Numero parte | APTSM120AM55CT1AG |
| PNEDA Part # | APTSM120AM55CT1AG |
| Descrizione | POWER MODULE - SIC |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | gen 9 - gen 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTSM120AM55CT1AG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTSM120AM55CT1AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTSM120AM55CT1AG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 272nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5120pF @ 1000V |
| Potenza - Max | 470W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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