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DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN4034SSD-13
PNEDA Part # DMN4034SSD-13
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN4034SSD-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN4034SSD-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN4034SSD-13, DMN4034SSD-13 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 295,71 KB)
PDFDMN4034SSD-13 Datasheet Copertura
DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 2 DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 3 DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 4 DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 5 DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 6 DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 7 DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 8 DMN4034SSD-13 Datasheet Pagina 9

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DMN4034SSD-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds453pF @ 20V
Potenza - Max1.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Potenza - Max

125W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

ALD110800PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

NX138AKSX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Potenza - Max

325mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

CSD75208W1015T

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Potenza - Max

750mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UFBGA, DSBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DSBGA

APTM08TDUM04PG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4530pF @ 25V

Potenza - Max

138W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

Venduto di recente

SMBJ33CA-13-F

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B350B-13-F

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AMT102-V

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CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

B3F-1000

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SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MPXM2010GS

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NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

LFXP2-17E-6FTN256I

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Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 201 I/O 256FTBGA

BSS138

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STM8S003F3P6

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IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC