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ALD110800PCL

ALD110800PCL

Solo per riferimento

Numero parte ALD110800PCL
PNEDA Part # ALD110800PCL
Descrizione MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.346
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ALD110800PCL Risorse

Brand Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteALD110800PCL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ALD110800PCL, ALD110800PCL Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 104,54 KB)
PDFALD110800SCL Datasheet Copertura
ALD110800SCL Datasheet Pagina 2 ALD110800SCL Datasheet Pagina 3 ALD110800SCL Datasheet Pagina 4 ALD110800SCL Datasheet Pagina 5 ALD110800SCL Datasheet Pagina 6 ALD110800SCL Datasheet Pagina 7 ALD110800SCL Datasheet Pagina 8 ALD110800SCL Datasheet Pagina 9 ALD110800SCL Datasheet Pagina 10 ALD110800SCL Datasheet Pagina 11

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  • ALD110800PCL Distributor

ALD110800PCL Specifiche

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET4 N-Channel, Matched Pair
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4V
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore16-PDIP

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 6V

Potenza - Max

8.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V

Potenza - Max

48W, 100W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 100V

Potenza - Max

470W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

177pF @ 10V

Potenza - Max

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.05nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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