DMN33D8LDW-7
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| Numero parte | DMN33D8LDW-7 |
| PNEDA Part # | DMN33D8LDW-7 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.454 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN33D8LDW-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN33D8LDW-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN33D8LDW-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 48pF @ 5V |
| Potenza - Max | 350mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V Potenza - Max 1.04W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-MSOP |
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