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ZXMD63P03XTC

ZXMD63P03XTC

Solo per riferimento

Numero parte ZXMD63P03XTC
PNEDA Part # ZXMD63P03XTC
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.838
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMD63P03XTC Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMD63P03XTC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMD63P03XTC, ZXMD63P03XTC Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 635,37 KB)
PDFZXMD63P03XTC Datasheet Copertura
ZXMD63P03XTC Datasheet Pagina 2 ZXMD63P03XTC Datasheet Pagina 3 ZXMD63P03XTC Datasheet Pagina 4 ZXMD63P03XTC Datasheet Pagina 5 ZXMD63P03XTC Datasheet Pagina 6 ZXMD63P03XTC Datasheet Pagina 7 ZXMD63P03XTC Datasheet Pagina 8

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ZXMD63P03XTC Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 25V
Potenza - Max1.04W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

FC8V33030L

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

33V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 480µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

WMini8-F1

DMC2990UDJ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

450mA, 310mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 15V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

408pF @ 50V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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