DMN2019UTS-13
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| Numero parte | DMN2019UTS-13 |
| PNEDA Part # | DMN2019UTS-13 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 451 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN2019UTS-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2019UTS-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN2019UTS-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Potenza - Max | 780mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
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Produttore Serie NexFET™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 6-PicoStar |
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