DMN2019UTS-13 Datasheet
DMN2019UTS-13 Datasheet
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Diodes Incorporated
Sito web: https://www.diodes.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
DMN2019UTS-13
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V Potenza - Max 780mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
