CSD86360Q5D
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| Numero parte | CSD86360Q5D |
| PNEDA Part # | CSD86360Q5D |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.614 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD86360Q5D Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD86360Q5D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD86360Q5D Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 12.5 |
| Potenza - Max | 13W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerLDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-LSON (5x6) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.45pC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 25V Potenza - Max 650mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 950mA, 530mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 47pF @ 10V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6 |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68.6nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore X4-DSN3118-6 |
