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PMDXB950UPEZ

PMDXB950UPEZ

Solo per riferimento

Numero parte PMDXB950UPEZ
PNEDA Part # PMDXB950UPEZ
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMDXB950UPEZ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMDXB950UPEZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMDXB950UPEZ, PMDXB950UPEZ Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 727,39 KB)
PDFPMDXB950UPEZ Datasheet Copertura
PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 2 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 3 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 4 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 5 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 6 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 7 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 8 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 9 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 10 PMDXB950UPEZ Datasheet Pagina 11

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PMDXB950UPEZ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds43pF @ 10V
Potenza - Max265mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010B-6

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 30V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SI5915BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 4V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

IRF7389PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IPG20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 16µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1105pF @ 25V

Potenza - Max

43W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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2N7002V-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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