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CMUDM8004 TR

CMUDM8004 TR

Solo per riferimento

Numero parte CMUDM8004 TR
PNEDA Part # CMUDM8004-TR
Descrizione MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523
Produttore Central Semiconductor Corp
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.934
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CMUDM8004 TR Risorse

Brand Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCMUDM8004 TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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CMUDM8004 TR Specifiche

ProduttoreCentral Semiconductor Corp
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C450mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.88nC @ 4.5V
Vgs (massimo)8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds55pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)250mW (Ta)
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-523
Pacchetto / CustodiaSOT-523

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Produttore

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1425pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PolarPak®

Pacchetto / Custodia

PolarPak®

IXTH12N150

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3720pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

890W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+10V, -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2310pF @ 12.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

STB120N10F4

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

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-

Funzione FET

-

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-

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