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MCP87022T-U/MF

MCP87022T-U/MF

Solo per riferimento

Numero parte MCP87022T-U/MF
PNEDA Part # MCP87022T-U-MF
Descrizione MOSFET N-CH 25V 8PDFN
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.382
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MCP87022T-U/MF Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCP87022T-U/MF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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MCP87022T-U/MF Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 4.5V
Vgs (massimo)+10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2310pF @ 12.5V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDFN (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

Pacchetto / Custodia

SOT-523

BUK7880-55A/CUX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

SI4403BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.35W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF9204PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7676pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

143W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1.2kV

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.3mOhm @ 75A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 23mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

211nC @ 15V

Vgs (massimo)

+15V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6085pF @ 1000V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

556W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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